Baş-boyun radyoterapisinde 3 boyutlu bilgisayarlı planlama ile dozimetrik sürecin randofantom üzerinde termolüminisans dozimetre ile kontrolü















































(boron) elektron reseptöründen yapılmıştır. Diyotun p bölgesi boşlukları ihtiva ederken n bölgesi aşırı elektrona sahiptir. Bir diyot ışınlandığında zayıflatılmış bölgede elektron boşluk çiftleri oluşur. Bu radyasyona bağlı akım oluşturur. Diyotlar n tipi Si ve p tipi Si ile üretilir. Bu detektörler base materyaline bağlı olarak n-Si ve p-Si detektörler olarak adlandırılır. Diyotlar kısa devre modunda kullanılıp, ölçülen yük ve doz arasında lineer ilişki sergilerler. P ve n tipinin bir araya getirilmesiyle ortaya çıkan birleşime p-n birleşimi diyot denir. Silikon diyot detektörler p-n tipi junction diyottur. P ve n tipi materyaller arasındaki ara yüzde, n bölgesinin elektronlarının ve p bölgesinin de boşluklarının difüzyonundan dolayı, denge oluşturuluncaya kadar zayıf bölge olarak adlandırılan küçük bir bölge yaratılır. Bu zayıf bölge, denge oluşturulunca yüklerin çoğunluğunun daha ileri difüzyonuna karşı koyan bir elektrik alan geliştirir. Bu diyot ışınlandığında, zayıf bölgede elektron- boşluk çifti oluşur. Bunlar hemen birbirinden ayrılır ve zayıf bölge içinde var olan elektrik alan tarafından sürüklenirler. Bu da radyasyona bağlı bir akım oluşturur. Akım zayıf bölgenin dışında oluşan boşluk ve elektronların difüzyonuyla daha da büyür. Bu elektrik akımın yönü n bölgesinden p bölgesine doğrudur. Diyotlar tipik iyonizasyon odalarından 18000 kere daha hassas oldukları için çok küçük boyutlarda (2.5×2.5×0.4 mm) kullanılabilir olup, basınç, sıcaklık değişikliklerinden bağımsız, ihmal edilebilir iyon rekombinasyon etkisi ve kısa okuma süresini sağlayan hızlı sinyal alma gibi avantajlara sahiptir. Ancak, foton huzmelerinde diyodun enerji bağımlılığı ve hassasiyetlerinin kullanımla değişmesi (radyasyon hasarından dolayı) gibi problemler ortaya çıkarmaktadırlar. Her iki detektör de ticari olarak mevcuttur, ancak p-Si tipi, radyasyon hasarından daha az etkilendiği ve daha küçük karanlık akıma sahip olduğu için radyoterapide kullanmaya uygundur. Penumbra bölgesi gibi hızlı doz gradientinin olduğu ve stereotaktik radyocerrahide kullanılan küçük alanların dozimetrisinde ve hastada in-vivo dozimetride kullanılırlar. Bir alanın veya komplex alanların giriş ve çıkış dozları ölçülebilir. İntrakaviter brakiterapide rektum, mesane veya intraluminal doz ölçümleri yapılabilir. Diyotların davranışları; radyasyonun tipi, doz rate, sıcaklık, enerji ve diod şekli ile değişir (12).
2.6.5. Mosfet
Metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), bir minyatür transistör olup küçük boyutundan dolayı özellikle in-vivo dozimetri için faydalıdır. MOSFET dozimetrilerin çalışması, absorbe edilen dozun lineer bir fonksiyonu olan eşik voltajının ölçülmesi esasına dayanır. Okside nüfuz eden iyonize radyasyon, kalıcı olarak tuzaklara
12



22. SAYFAYA BENZER SAYFALAR

Meme kanseri radyoterapisinde 3 boyutlu bilgisayarlı planlama ve dozimetrik sürecin randofantom üzerinde termolüminesans dozimetri ile kontrolü - Sayfa 18
daha küçük volümli iyon odalarının kullanılması gereklidir. Genellikle, diamond dedektör ve pin point iyon odası gibi küçük hacme sahip iyon odaları kullanılır (16). 2.7.4 Yarıiletken Dedektörler Yarı iletken detektörlerin çalışmasıda iyonizasyon prensibine dayanır. Yüksek hassasiyetleri, hemen cevap vermeleri, küçük boyutları iyonizasyon odalarına karşı avantajıdır. Silikon gibi küçük miktarda ...
Prostat radyoterapisinde 3 boyutlu bilgisayarlı planlama ve dozimetrik sürecin randofantom üzerinde tld dozimetre ile kontrolü - Sayfa 22
ayrılır ve zayıf bölge içinde var olan elektrik alan tarafından sürüklenirler. Bu da radyasyona bağlı bir akım oluşturur. Akım zayıf bölgenin dışında oluşan boşluk ve elektronların difüzyonuyla daha da büyür. Bu elektrik akım akışının yönü n bölgesinden p bölgesine doğrudur. Diyotlar tipik iyonizasyon odalarından 18000 kere daha hassas oldukları için çok küçük boyutlarda (2.5x2.5x0.4 mm) kullanıla...
Prostat radyoterapisinde 3 boyutlu bilgisayarlı planlama ve dozimetrik sürecin randofantom üzerinde tld dozimetre ile kontrolü - Sayfa 21
kalibrasyonda alan düzgünlüğündeki değişim gözlenebilir. Bundan dolayı dmax’ taki alan düzgünlüğü kontrol edilmelidir. Bunun için alanın merkezindeki ve daire üzerindeki diyot okumalarına bakılır. Ayrıca, diyotların merkezi eksene göre yerleşimleri referans iyon odası için demette düzensizlik oluşturmayacak şekilde gerçekleştirilmelidir. Diyot kalibrasyon geometrisi kalibrasyon faktörünün belirlen...

22. SAYFADAKI ANAHTAR KELIMELER

diyot
radyasyon
iyon
gibi
diyotlar
elektron


22. SAYFA ICERIGI

(boron) elektron reseptöründen yapılmıştır. Diyotun p bölgesi boşlukları ihtiva ederken n bölgesi aşırı elektrona sahiptir. Bir diyot ışınlandığında zayıflatılmış bölgede elektron boşluk çiftleri oluşur. Bu radyasyona bağlı akım oluşturur. Diyotlar n tipi Si ve p tipi Si ile üretilir. Bu detektörler base materyaline bağlı olarak n-Si ve p-Si detektörler olarak adlandırılır. Diyotlar kısa devre modunda kullanılıp, ölçülen yük ve doz arasında lineer ilişki sergilerler. P ve n tipinin bir araya getirilmesiyle ortaya çıkan birleşime p-n birleşimi diyot denir. Silikon diyot detektörler p-n tipi junction diyottur. P ve n tipi materyaller arasındaki ara yüzde, n bölgesinin elektronlarının ve p bölgesinin de boşluklarının difüzyonundan dolayı, denge oluşturuluncaya kadar zayıf bölge olarak adlandırılan küçük bir bölge yaratılır. Bu zayıf bölge, denge oluşturulunca yüklerin çoğunluğunun daha ileri difüzyonuna karşı koyan bir elektrik alan geliştirir. Bu diyot ışınlandığında, zayıf bölgede elektron- boşluk çifti oluşur. Bunlar hemen birbirinden ayrılır ve zayıf bölge içinde var olan elektrik alan tarafından sürüklenirler. Bu da radyasyona bağlı bir akım oluşturur. Akım zayıf bölgenin dışında oluşan boşluk ve elektronların difüzyonuyla daha da büyür. Bu elektrik akımın yönü n bölgesinden p bölgesine doğrudur. Diyotlar tipik iyonizasyon odalarından 18000 kere daha hassas oldukları için çok küçük boyutlarda (2.5×2.5×0.4 mm) kullanılabilir olup, basınç, sıcaklık değişikliklerinden bağımsız, ihmal edilebilir iyon rekombinasyon etkisi ve kısa okuma süresini sağlayan hızlı sinyal alma gibi avantajlara sahiptir. Ancak, foton huzmelerinde diyodun enerji bağımlılığı ve hassasiyetlerinin kullanımla değişmesi (radyasyon hasarından dolayı) gibi problemler ortaya çıkarmaktadırlar. Her iki detektör de ticari olarak mevcuttur, ancak p-Si tipi, radyasyon hasarından daha az etkilendiği ve daha küçük karanlık akıma sahip olduğu için radyoterapide kullanmaya uygundur. Penumbra bölgesi gibi hızlı doz gradientinin olduğu ve stereotaktik radyocerrahide kullanılan küçük alanların dozimetrisinde ve hastada in-vivo dozimetride kullanılırlar. Bir alanın veya komplex alanların giriş ve çıkış dozları ölçülebilir. İntrakaviter brakiterapide rektum, mesane veya intraluminal doz ölçümleri yapılabilir. Diyotların davranışları; radyasyonun tipi, doz rate, sıcaklık, enerji ve diod şekli ile değişir (12).
2.6.5. Mosfet
Metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET), bir minyatür transistör olup küçük boyutundan dolayı özellikle in-vivo dozimetri için faydalıdır. MOSFET dozimetrilerin çalışması, absorbe edilen dozun lineer bir fonksiyonu olan eşik voltajının ölçülmesi esasına dayanır. Okside nüfuz eden iyonize radyasyon, kalıcı olarak tuzaklara
12







single.php