Plazma elektrolik oksidasyon yöntemiyle alüminyum alaşımlarının kaplanması
























































23
ile çevrelenir. Hemen hemen bütün voltaj bu ince , elektrod üstü bölgeye düşer. Bu bölge içerisindeki elektrik alan kuvveti E 106 ile 108 V/m arasındaki bir değere ulaşır. Bu da buhar kılıfı içerisinde iyonizasyon prosesinin başlaması için yeterlidir. İyonizasyon olayı, dağınık gaz kabarcıkları içinde küçük kıvılcımlar şeklinde belirir ve sonra buhar plazma kılıfın her yerinde parlak ve düzgün olarak yayılır. U2-U3 Buhar kılıfının hidrodinamik stabilizasyonundan dolayı, akım düşer ve U3 noktasından sonra parlak deşarjlar, yoğun kıvılcımlara dönüşürler.
Tip-B sisteminde, ilk olarak U4 noktasında daha önceden var olan pasif film tabakası çözünür. Sonra U4-U5 repasivasyon aralığında gözenekli oksit film tabakası gelişir. U5 noktasında oksit film içerisindeki elektrik alan kuvveti film tabasının bozulduğu kritik bir değere ulaşır. Bu sırada küçük ışıldayan kıvılcımlar gözlemlenir. U6 noktasında ısıl iyonizasyonun da yardımıyla daha yavaş ve daha büyük kıvılcım deşarjları meydana gelir. U6-U7 bölgesinde ısıl iyonizasyon, gelişen oksit film içerisinde oluşan negatif şarj tarafından kısmen durdurulur. Bu da deşarj gecikmesine neden olur. Bu etki mikro-arkların sürekliliğini belirler. Bu mikro-arklar sayesinde film tabakası giderek erir ve elektrolit içerisinde bulunan elementlerle alaşımlanır. U7 noktasının üzerinde film içerisinden metal yüzeyine nüfuz eden mikro-ark boşalmaları oluşur ve çok güçlü kıvılcımlara dönüşür. (Yerokhin 1999)
Şekil 2.10 : Plazma Elektroliz İçin Akım Voltaj Diyagramı



31. SAYFAYA BENZER SAYFALAR

Alüminyum-magnezyum ikili alaşımlarının mikroark oksidasyon yöntemiyle kaplama davranışına magnezyum miktarının etkisi - Sayfa 45
29 Prosesin baslangıcında hızlı bir biçimde ince bir tabaka halinde çok sayıda gözenekten olusan bir oksit tabakası Al yüzey üzerinde olusur. Voltaj kritik degeri astıgında oksit tabakasının gözenekleri kırılır ve kıvılcım bosalmaları başlar. Plazma oluşur ve kıvılcım boşalmalarıyla oluşan anlık sıcaklık 2000 °C’ ye ulaşır. Dış yüzeyde soğuma çok hızlı gerçekleştiğinden α-Al2O3 oranı burada yükse...
Bazı hafif radikallerin elektron yapılarının incelenmesi - Sayfa 40
Çizelge 5.1.3 CH3 radikalinin ui (γ s ) moleküler orbitallerinin dönüşümleri u1 = u1 (a1′) u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u1 u2 = u2 (a1′) u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u2 u3 = u3 (a1′) u3 u3 u3 u3 u4 = u1 (e′x ) u4 − 1 2 u4 + 3 2 u6 − 1 2 u4 − 3 2 u6 - u4 u3 1 2 u4 + 3 2 u6 u3 u3 1 ...
- Sayfa 67
56  Bir =  u1 u2 u3 u4 u5 u6 U7 U8 U9 U10 U11 U12 U13 U14 U15 -u2 u1 -u10 -u11 -u12 -u13 -u14 -u15 -u16 u3 u4 u5 u6 U7 U8 -u3 U10 u1 -u12 U11 -u14 U13 u16 -u15 -u2 -u5 u4 -u7 u6 U9 -u4 U11 U12 u1 -u10 -u15 -u16 U13 u14 U15 -u2 -u3 -u8 -u9 u6 -u5 U12 -u11 U10 u1 -u16 U15 -u14 U13 -u4 u3 -u2 -u9 U8 -u7 -u6 U13 U14 U15 u16 u1 -u10 -u11 -u12 U7 U8 ...

31. SAYFADAKI ANAHTAR KELIMELER

üzerinde
büyük
olur
eden
alan
elektrik


31. SAYFA ICERIGI

23
ile çevrelenir. Hemen hemen bütün voltaj bu ince , elektrod üstü bölgeye düşer. Bu bölge içerisindeki elektrik alan kuvveti E 106 ile 108 V/m arasındaki bir değere ulaşır. Bu da buhar kılıfı içerisinde iyonizasyon prosesinin başlaması için yeterlidir. İyonizasyon olayı, dağınık gaz kabarcıkları içinde küçük kıvılcımlar şeklinde belirir ve sonra buhar plazma kılıfın her yerinde parlak ve düzgün olarak yayılır. U2-U3 Buhar kılıfının hidrodinamik stabilizasyonundan dolayı, akım düşer ve U3 noktasından sonra parlak deşarjlar, yoğun kıvılcımlara dönüşürler.
Tip-B sisteminde, ilk olarak U4 noktasında daha önceden var olan pasif film tabakası çözünür. Sonra U4-U5 repasivasyon aralığında gözenekli oksit film tabakası gelişir. U5 noktasında oksit film içerisindeki elektrik alan kuvveti film tabasının bozulduğu kritik bir değere ulaşır. Bu sırada küçük ışıldayan kıvılcımlar gözlemlenir. U6 noktasında ısıl iyonizasyonun da yardımıyla daha yavaş ve daha büyük kıvılcım deşarjları meydana gelir. U6-U7 bölgesinde ısıl iyonizasyon, gelişen oksit film içerisinde oluşan negatif şarj tarafından kısmen durdurulur. Bu da deşarj gecikmesine neden olur. Bu etki mikro-arkların sürekliliğini belirler. Bu mikro-arklar sayesinde film tabakası giderek erir ve elektrolit içerisinde bulunan elementlerle alaşımlanır. U7 noktasının üzerinde film içerisinden metal yüzeyine nüfuz eden mikro-ark boşalmaları oluşur ve çok güçlü kıvılcımlara dönüşür. (Yerokhin 1999)
Şekil 2.10 : Plazma Elektroliz İçin Akım Voltaj Diyagramı

İlgili Kaynaklar







single.php